Framleiðandi Vöru númer:
SIHD186N60EF-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD186N60EF-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
4523 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915534
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD186N60EF-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
EF
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
201mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1118 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
156W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD186
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTU50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO251
SI2309DS-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
SIHP7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
