Framleiðandi Vöru númer:
SIHD14N60ET1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD14N60ET1-GE3-DG
Lýsing:
N-CHANNEL 600V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
1644 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13000384
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD14N60ET1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1205 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
147W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
742-SIHD14N60ET1-GE3CT
742-SIHD14N60ET1-GE3TR
742-SIHD14N60ET1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIHD14N60ET4-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2960
HLUTARNÁMR
SIHD14N60ET4-GE3-DG
Einingaverð
0.85
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
SIHD14N60ET5-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2996
HLUTARNÁMR
SIHD14N60ET5-GE3-DG
Einingaverð
0.85
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR9210PBF-BE3
P-CHANNEL 200V
G10N03S
MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
SQJA20EP-T1_BE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
