SIHB35N60E-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SIHB35N60E-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHB35N60E-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

160 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12919148

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SIHB35N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tube

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

650 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

32A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

94mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

132 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±30V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

2760 pF @ 100 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

250W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

TO-263 (D2PAK)

Pakki / hulstur

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grunnvörunúmer

SIHB35

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SIHB35N60E-GE3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

1,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SUP53P06-20-GE3

MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB

nexperia

PSMN8R5-100ESQ

MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK

nexperia

PMN25ENEH

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP

vishay-siliconix

SUM70090E-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO263