Framleiðandi Vöru númer:
SIHB24N80AE-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHB24N80AE-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
584 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12982520
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHB24N80AE-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1836 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SIHB24
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-SIHB24N80AE-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
MRH25N12U3
RH MOSFET _ U3
SIHG24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC
AUIRF7732S2TR
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
