Framleiðandi Vöru númer:
SIHA4N80E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHA4N80E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Birgðir:
12916762
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHA4N80E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
622 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220 Full Pack
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
SIHA4
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STF6N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
963
HLUTARNÁMR
STF6N62K3-DG
Einingaverð
0.83
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
TK6A80E,S4X
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
15
HLUTARNÁMR
TK6A80E,S4X-DG
Einingaverð
0.70
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQD19P06-60L_T4GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
SQR40030ER_GE3
MOSFET N-CH 40V TO252 REVERSE
SQM120N06-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
