Framleiðandi Vöru númer:
SIHA22N60AE-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHA22N60AE-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Birgðir:
12966419
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHA22N60AE-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1451 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
33W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220 Full Pack
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
SIHA22
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPA60R170CFD7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
255
HLUTARNÁMR
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
Einingaverð
1.29
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPAW60R180P7SXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
451
HLUTARNÁMR
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
Einingaverð
0.69
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FCPF190N60
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
800
HLUTARNÁMR
FCPF190N60-DG
Einingaverð
1.60
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
ZVN3320A
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
PJC7428_R1_00001
SOT-323, MOSFET
SIRA18DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
