Framleiðandi Vöru númer:
SIHA17N80E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHA17N80E-GE3-DG
Lýsing:
N-CHANNEL 800V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Birgðir:
1980 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12985593
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHA17N80E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2408 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220 Full Pack
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
742-SIHA17N80E-GE3TR
742-SIHA17N80E-GE3CT
742-SIHA17N80E-GE3DKRINACTIVE
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NXV100XPR
NXV100XP/SOT23/TO-236AB
DMN2053UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
BSS139IXTMA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
