Framleiðandi Vöru númer:
SIHA17N80AE-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHA17N80AE-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Birgðir:
1014 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12978175
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
2ZvM
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHA17N80AE-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1260 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
34W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220 Full Pack
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
SIHA17
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
742-SIHA17N80AE-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TQM110NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
FDS6630A
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
MSC400SMA330B4
MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24
