Framleiðandi Vöru númer:
SIHA12N50E-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHA12N50E-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Birgðir:
1000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918274
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHA12N50E-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
886 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
32W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220 Full Pack
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
SIHA12
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
742-SIHA12N50E-E3
SIHA12N50E-E3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SI4404DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SQP10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB
