Framleiðandi Vöru númer:
SIE832DF-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIE832DF-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Birgðir:
12919053
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIE832DF-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3800 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
10-PolarPAK® (S)
Pakki / hulstur
10-PolarPAK® (S)
Grunnvörunúmer
SIE832
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIE832DF-T1-GE3TR
SIE832DF-T1-GE3DKR
SIE832DFT1GE3
SIE832DF-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI6433BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
SIHW47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
SI4838BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 34A 8SO