Framleiðandi Vöru númer:
SIDR510EP-T1-RE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIDR510EP-T1-RE3-DG
Lýsing:
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 33A (Ta), 148A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Birgðir:
6000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12976039
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIDR510EP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen V
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
33A (Ta), 148A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4980 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
7.5W (Ta), 150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8DC
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIDR510EP-T1-RE3DKR
742-SIDR510EP-T1-RE3CT
742-SIDR510EP-T1-RE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
SQJ140ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
SI4151DY-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
