SIDR500EP-T1-RE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIDR500EP-T1-RE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIDR500EP-T1-RE3-DG

Lýsing:

N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 94A (Ta), 421A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

Birgðir:

6000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12976044
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIDR500EP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen V
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
94A (Ta), 421A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
0.47mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+16V, -12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8960 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
7.5W (Ta), 150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8DC
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIDR500EP-T1-RE3DKR
742-SIDR500EP-T1-RE3CT
742-SIDR500EP-T1-RE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQA411CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)

vishay-siliconix

SQJQ130EL-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

vishay-siliconix

SQJQ184ER-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

onsemi

NTMFS015N10MCLT1G

MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN