Framleiðandi Vöru númer:
SIDR140DP-T1-RE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIDR140DP-T1-RE3-DG
Lýsing:
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 79A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Birgðir:
11998 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12977780
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIDR140DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
79A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
0.67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8150 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8DC
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIDR140DP-T1-RE3TR
742-SIDR140DP-T1-RE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR220PBF-BE3
N-CHANNEL 200V
SIHA6N65E-GE3
N-CHANNEL 650V
SIHB24N65EFT1-GE3
N-CHANNEL 650V