SIB900EDK-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIB900EDK-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIB900EDK-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC75-6L
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual

Birgðir:

RFQ á netinu
12916809
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIB900EDK-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.5A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
1.7nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
3.1W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Grunnvörunúmer
SIB900

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIB900EDK-T1-GE3CT
SIB900EDKT1GE3
SIB900EDK-T1-GE3DKR
SIB900EDK-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI1026X-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89

vishay-siliconix

SI3586DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7940DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIZ728DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 16A 6PWRPAIR