Framleiðandi Vöru númer:
SIB412DK-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIB412DK-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Birgðir:
12918381
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIB412DK-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10.16 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
535 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-75-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-75-6
Grunnvörunúmer
SIB412
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIB412DK-T1-E3TR
SIB412DK-T1-E3DKR
SIB412DK-T1-E3CT
SIB412DKT1E3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4438DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
SI1400DL-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
SUM110N04-03P-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
