Framleiðandi Vöru númer:
SIAA02DJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIAA02DJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 22A (Ta), 52A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
4210 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13270172
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIAA02DJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Ta), 52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+12V, -8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1250 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIAA02
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR
742-SIAA02DJ-T1-GE3CT
742-SIAA02DJ-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI2393DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
UPA2738GR-E2-AX
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
DMN2053UW-13
MOSFET 8V~24V SOT323
