Framleiðandi Vöru númer:
SIA912DJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA912DJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Birgðir:
12787474
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA912DJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.5A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11.5nC @ 8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
400pF @ 6V
Kraftur - hámark
6.5W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Grunnvörunúmer
SIA912
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIA912DJ-T1-GE3TR
SIA912DJT1GE3
SIA912DJ-T1-GE3CT
SIA912DJ-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIA910EDJ-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2096
HLUTARNÁMR
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.17
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQUN702E-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
SIZ980DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
