SIA813DJ-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIA813DJ-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIA813DJ-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Birgðir:

RFQ á netinu
12917121
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIA813DJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
LITTLE FOOT®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
355 pF @ 10 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Isolated)
Afl leiðni (hámark)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Grunnvörunúmer
SIA813

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIA813DJT1GE3
SIA813DJ-T1-GE3DKR
SIA813DJ-T1-GE3CT
SIA813DJ-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI7440DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI1307EDL-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3

vishay-siliconix

SI1013R-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A

vishay-siliconix

SI3434DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP