SIA777EDJ-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIA777EDJ-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIA777EDJ-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A SC70
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V, 12V 1.5A, 4.5A 5W, 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Birgðir:

12919754
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIA777EDJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
N and P-Channel
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V, 12V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.5A, 4.5A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
2.2nC @ 5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
5W, 7.8W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Grunnvörunúmer
SIA777

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI4804CDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SI3948DV-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 6TSOP

vishay-siliconix

SI4963BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

vishay-siliconix

SI7236DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO8