Framleiðandi Vöru númer:
SIA483ADJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA483ADJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 10.6A (Ta), 12A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
4405 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12954911
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA483ADJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.6A (Ta), 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+16V, -20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
950 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA483
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIA483ADJ-T1-GE3TR
SIA483ADJ-T1-GE3DKR-DG
SIA483ADJ-T1-GE3TR
SIA483ADJ-T1-GE3TR-DG
SIA483ADJ-T1-GE3CT-DG
SIA483ADJ-T1-GE3DKR
SIA483ADJ-T1-GE3CT
742-SIA483ADJ-T1-GE3DKR
742-SIA483ADJ-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1403BDL-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
ISL9N315AD3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFI644GPBF
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
