SIA462DJ-T4-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIA462DJ-T4-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIA462DJ-T4-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Birgðir:

12917707
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIA462DJ-T4-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
570 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA462

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI5445BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

vishay-siliconix

SIHU3N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 3A TO251

vishay-siliconix

SI7421DN-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI2399DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3