Framleiðandi Vöru númer:
SIA456DJ-T3-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA456DJ-T3-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 1.1A (Ta), 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
13277375
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA456DJ-T3-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
350 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA456
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
10,000
Önnur nöfn
742-SIA456DJ-T3-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQD100N02_3M5L4GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
SIDR220DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
SIB422EDK-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK