SIA456DJ-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SIA456DJ-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIA456DJ-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Birgðir:

13305 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12913534

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SIA456DJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

200 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

1.38Ohm @ 750mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±16V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

350 pF @ 100 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® SC-70-6

Pakki / hulstur

PowerPAK® SC-70-6

Grunnvörunúmer

SIA456

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SIA456DJ-T1-GE3-DG

Gagnaplakks

SIA456DJ-T1-GE3

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SIA456DJ-T1-GE3DKR

SIA456DJT1GE3

SIA456DJ-T1-GE3CT

SIA456DJ-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI4874BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

littelfuse

IXTX400N15X4

MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247

vishay-siliconix

IRFR210TR

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

vishay-siliconix

SI7430DP-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8