Framleiðandi Vöru númer:
SIA438EDJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA438EDJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2.4W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
12916597
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA438EDJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
350 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA438
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
IXFK32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
SIHH26N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
