Framleiðandi Vöru númer:
SIA430DJT-T4-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA430DJT-T4-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 12A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
12920241
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA430DJT-T4-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
800 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA430
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SI4632DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
SQM100N04-2M7_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
