Framleiðandi Vöru númer:
SIA418DJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA418DJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
12960124
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA418DJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
570 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA418
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIA418DJT1GE3
SIA418DJ-T1-GE3DKR
SIA418DJ-T1-GE3CT
SIA418DJ-T1-GE3TR
2266-SIA418DJ-T1-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIA462DJ-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2
HLUTARNÁMR
SIA462DJ-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.11
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7784DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SI4136DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
IRFR9210TRPBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK