Framleiðandi Vöru númer:
SIA417DJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA417DJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
12914814
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA417DJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
8 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1600 pF @ 4 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA417
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIA417DJ-T1-GE3DKR
SIA417DJ-T1-GE3CT
SIA417DJT1GE3
SIA417DJ-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFPS30N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
SI4636DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
SI4128BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
