Framleiðandi Vöru númer:
SIA110DJ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIA110DJ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 5.4A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Birgðir:
5350 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12919878
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIA110DJ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.4A (Ta), 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
550 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-70-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-70-6
Grunnvörunúmer
SIA110
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIA110DJ-T1-GE3TR-DG
742-SIA110DJ-T1-GE3DKR
SIA110DJ-T1-GE3CT-DG
SIA110DJ-T1-GE3TR
SIA110DJ-T1-GE3DKR
742-SIA110DJ-T1-GE3TR
SIA110DJ-T1-GE3DKR-DG
SIA110DJ-T1-GE3CT
742-SIA110DJ-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHG47N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
SI7342DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
SIR180DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK