Framleiðandi Vöru númer:
SI9926CDY-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI9926CDY-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Birgðir:
19493 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786069
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI9926CDY-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200pF @ 10V
Kraftur - hámark
3.1W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Grunnvörunúmer
SI9926
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SI9926CDY-T1-GE3DKR
SI9926CDY-T1-GE3TR
SI9926CDYT1GE3
SI9926CDY-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
SIA913ADJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
SQJB80EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
