Framleiðandi Vöru númer:
SI8851EDB-T2-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8851EDB-T2-E1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2)
Birgðir:
138 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915514
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8851EDB-T2-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
180 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6900 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
660mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
Power Micro Foot® (2.4x2)
Pakki / hulstur
30-XFBGA
Grunnvörunúmer
SI8851
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8851EDB-T2-E1CT
SI8851EDB-T2-E1TR
SI8851EDB-T2-E1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1051X-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
SI1489EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
SIA430DJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
