Framleiðandi Vöru númer:
SI8435DB-T1-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8435DB-T1-E1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 10A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Birgðir:
12914183
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
z4Xn
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8435DB-T1-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1600 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-Microfoot
Pakki / hulstur
4-XFBGA, CSPBGA
Grunnvörunúmer
SI8435
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8435DBT1E1
SI8435DB-T1-E1TR
SI8435DB-T1-E1DKR
SI8435DB-T1-E1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFL210
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
SI7478DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
SI3460DDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
