SI8429DB-T1-E1

Framleiðandi Vöru númer:

SI8429DB-T1-E1

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI8429DB-T1-E1-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 8 V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Birgðir:

20174 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12917673

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI8429DB-T1-E1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

8 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

11.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

26 nC @ 5 V

Vgs (hámark)

±5V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1640 pF @ 4 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

4-Microfoot

Pakki / hulstur

4-XFBGA, CSPBGA

Grunnvörunúmer

SI8429

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SI8429DB-T1-E1-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SI8429DB-T1-E1DKR

SI8429DBT1E1

SI8429DB-T1-E1CT

SI8429DB-T1-E1TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI3483CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJA84EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHS36N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

vishay-siliconix

SI3465DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP