Framleiðandi Vöru númer:
SI8413DB-T1-E1
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI8413DB-T1-E1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 4.8A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Birgðir:
12914225
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI8413DB-T1-E1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.47W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-Microfoot
Pakki / hulstur
4-XFBGA, CSPBGA
Grunnvörunúmer
SI8413
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8413DB-T1-E3
SI8413DB-T1-E1TR
SI8413DBT1E1
SI8413DB-T1-E1DKR
SI8413DB-T1-E1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFA8N50P3
MOSFET N-CH 500V 8A TO263
SI7309DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
SI3499DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
