SI8401DB-T1-E1
Framleiðandi Vöru númer:

SI8401DB-T1-E1

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI8401DB-T1-E1-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

Birgðir:

12914665
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI8401DB-T1-E1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.47W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-Microfoot
Pakki / hulstur
4-XFBGA, CSPBGA
Grunnvörunúmer
SI8401

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI8401DB-T1-E1CT
SI8401DBT1E1
SI8401DB-T1-E1DKR
SI8401DB-T1-E1TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRFS9N60APBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

littelfuse

IXTQ26P20P

MOSFET P-CH 200V 26A TO3P

vishay-siliconix

IRFI840GPBF

MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3

vishay-siliconix

IRFPC60LCPBF

MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3