SI7960DP-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7960DP-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7960DP-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Birgðir:

12917166
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7960DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.2A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
75nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
1.4W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8 Dual
Grunnvörunúmer
SI7960

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7960DPT1GE3
SI7960DP-T1-GE3CT
SI7960DP-T1-GE3TR
SI7960DP-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
SI7252DP-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SI7252DP-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.83
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI6928DQ-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP

vishay-siliconix

SQ1902AEL-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6

vishay-siliconix

SI6969DQ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP

vishay-siliconix

SI6966DQ-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP