Framleiðandi Vöru númer:
SI7958DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7958DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Birgðir:
12915554
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7958DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.2A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
75nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
1.4W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8 Dual
Grunnvörunúmer
SI7958
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7958DP-T1-GE3CT
SI7958DP-T1-GE3DKR
SI7958DP-T1-GE3TR
SI7958DPT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI7288DP-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
112499
HLUTARNÁMR
SI7288DP-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.52
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPG20N04S412ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPG20N04S412ATMA1-DG
Einingaverð
0.42
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI5915DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
SI3529DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6TSOP
SI4808DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
