Framleiðandi Vöru númer:
SI7820DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7820DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
11914 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12919511
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7820DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7820
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7820DN-T1-GE3CT
SI7820DN-T1-GE3TR
SI7820DN-T1-GE3DKR
SI7820DNT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUP28N15-52-E3
MOSFET N-CH 150V 28A TO220AB
SI6473DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
SI4845DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO
