SI7623DN-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7623DN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7623DN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Birgðir:

2740 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12920047
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7623DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5460 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7623

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7623DN-T1-GE3TR
SI7623DN-T1-GE3CT
SI7623DN-T1-GE3DKR
SI7623DNT1GE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
RAF040P01TCL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
23988
HLUTARNÁMR
RAF040P01TCL-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI7862ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHA690N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220

vishay-siliconix

SI7454DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIA106DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK