Framleiðandi Vöru númer:
SI7617DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7617DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
207195 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12914516
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7617DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1800 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7617
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7617DNT1GE3
SI7617DN-T1-GE3CT
SI7617DN-T1-GE3DKR
SI7617DN-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLIZ14GPBF
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
SI4483EDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
IRFBE20STRR
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
