SI7615BDN-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7615BDN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7615BDN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 29A (Ta), 104A (Tc) 5.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Birgðir:

12986913
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7615BDN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
29A (Ta), 104A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4890 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5.2W (Ta), 66W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7615

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SI7615BDN-T1-GE3TR
742-SI7615BDN-T1-GE3CT
742-SI7615BDN-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
diodes

DMTH4014LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMTH4001SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

onsemi

NVMFWS0D5N04XMT1G

40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

onsemi

NTHL025N065SC1

SIC MOS TO247-3L 650V