Framleiðandi Vöru númer:
SI7613DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7613DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
52730 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913391
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7613DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2620 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Hitastig rekstrar
-50°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7613
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7613DN-T1-GE3TR
SI7613DNT1GE3
SI7613DN-T1-GE3DKR
SI7613DN-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFIB7N50LPBF
MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3
SI7110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
SI5481DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
