Framleiðandi Vöru númer:
SI7456DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7456DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
12918599
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7456DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.9W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SI7456
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7456DPT1GE3
SI7456DP-T1-GE3CT
SI7456DP-T1-GE3TR
SI7456DP-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDMS86105
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
23647
HLUTARNÁMR
FDMS86105-DG
Einingaverð
0.73
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
SIHH14N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SI8489EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
