Framleiðandi Vöru númer:
SI7302DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI7302DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 220 V 8.4A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
12963273
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI7302DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
220 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
645 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SI7302
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI3441BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP
IRLR110TR
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
NTH4L060N090SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
