SI7190DP-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7190DP-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7190DP-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 18.4A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

5485 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918732
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7190DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
118mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2214 pF @ 125 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SI7190

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SI7190DP-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SI7190DP-T1-GE3
Gagnablöð
SI7190DP

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7190DP-T1-GE3TR
SI7190DP-T1-GE3DKR
SI7190DPT1GE3
SI7190DP-T1-GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQ2319ES-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

vishay-siliconix

SI6410DQ-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8TSSOP

vishay-siliconix

SI5456DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET

vishay-siliconix

SI7390DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8