Framleiðandi Vöru númer:
SI6562CDQ-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI6562CDQ-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
Birgðir:
10653 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12913948
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI6562CDQ-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
N and P-Channel
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.7A, 6.1A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
850pF @ 10V
Kraftur - hámark
1.6W, 1.7W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Birgir tæki pakki
8-TSSOP
Grunnvörunúmer
SI6562
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI6562CDQT1GE3
SI6562CDQ-T1-GE3CT
SI6562CDQ-T1-GE3DKR
SI6562CDQ-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1903DL-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
SI4944DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8SOIC
SI5504DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8