Framleiðandi Vöru númer:
SI5857DU-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5857DU-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Birgðir:
12959672
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5857DU-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
LITTLE FOOT®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
480 pF @ 10 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Isolated)
Afl leiðni (hámark)
2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pakki / hulstur
PowerPAK® ChipFET™ Single
Grunnvörunúmer
SI5857
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI5857DU-T1-E3CT
SI5857DU-T1-E3TR
SI5857DUT1E3
SI5857DU-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI2334DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
SI4430BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
