Framleiðandi Vöru númer:
SI5513DC-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5513DC-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 3.1A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Birgðir:
12915082
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5513DC-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
N and P-Channel
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.1A, 2.1A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
1.1W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Grunnvörunúmer
SI5513
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI5515CDC-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
11790
HLUTARNÁMR
SI5515CDC-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.24
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4539ADY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
SI8900EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
SI4214DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
