Framleiðandi Vöru númer:
SI5513CDC-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5513CDC-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Birgðir:
12920618
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5513CDC-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
N and P-Channel
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A, 3.7A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
285pF @ 10V
Kraftur - hámark
3.1W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Grunnvörunúmer
SI5513
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI5513CDCT1GE3
SI5513CDC-T1-GE3CT
SI5513CDC-T1-GE3DKR
SI5513CDC-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIA917DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SI3993DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
