Framleiðandi Vöru númer:
SI5509DC-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI5509DC-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Birgðir:
12911455
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI5509DC-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
N and P-Channel
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.1A, 4.8A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.6nC @ 5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
455pF @ 10V
Kraftur - hámark
4.5W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SMD, Flat Lead
Birgir tæki pakki
1206-8 ChipFET™
Grunnvörunúmer
SI5509
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI5509DCT1E3
SI5509DC-T1-E3CT
SI5509DC-T1-E3TR
SI5509DC-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TT8M1TR
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
6717
HLUTARNÁMR
TT8M1TR-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
BUK9K20-80EX
MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D
SI7913DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
MKE38P600TLB-TRR
MOSFET ISOPLUS-SMPD
