Framleiðandi Vöru númer:

SI5480DU-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI5480DU-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single

Birgðir:

RFQ á netinu

12919011

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SI5480DU-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

TrenchFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

30 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

34 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1230 pF @ 15 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® ChipFET™ Single

Pakki / hulstur

PowerPAK® ChipFET™ Single

Grunnvörunúmer

SI5480

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

SI5418DU-T1-GE3

FRAMLEIÐANDI

Vishay Siliconix

Fjöldi í boði

1882

HLUTARNÁMR

SI5418DU-T1-GE3-DG

Einingaverð

0.45

VÖRUVAL

Direct

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SIE820DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIR412DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4842BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 28A 8SO

vishay-siliconix

SIHB6N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK